Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

ALD210800ASCL

Name: Advanced Linear Devices ALD210800ASCL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD210800ASCL
Price: 11.29 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

585-ALD210800ASCL

Số nhà sản xuất:

ALD210800ASCL

Nsx:

Advanced Linear Devices

Mô tả:

MOSFETs PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Bảng dữ liệu:

ALD210800ASCL Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 22

Tồn kho:: 22 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 9 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Số lượng lớn hơn 22 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$11.29	$11.29
	$8.21	$82.10
	$6.84	$684.00
	$6.10	$3,050.00
	$5.70	$5,700.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Advanced Linear Devices
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	SOIC-16
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	4 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	10.6 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	80 mA
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	25 Ohms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	20 mV
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	0 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 70 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	500 mW
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	Advanced Linear Devices
Cấu hình:	Quad
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	US
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Sê-ri:	ALD210800A
Số lượng Kiện Gốc:	50
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	4 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	10 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	10 ns
Đơn vị Khối lượng:	666 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

ALD210800ASCL Bảng dữ liệu (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays - INACTIVE

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays are precision matched at the factory using ALD's proven EPAD® CMOS technology. These quad monolithic devices are enhanced additions to the ALD110800A/ALD110800 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconductance and output conductance, particularly at very low supply voltages. Intended for low voltage, low power small signal applications, the ALD210800/ALD210800A features Zero-Threshold™ voltage, which enables circuit designs with input/output signals referenced to GND at enhanced operating voltage ranges. With these devices, a circuit with multiple cascading stages can be built to operate at extremely low supply/bias voltage levels.
Learn More