ALD210800PCL

Advanced Linear Devices
585-ALD210800PCL
ALD210800PCL

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
Tối thiểu: 50   Nhiều: 50
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$7.57 $378.50
$6.31 $631.00
$5.62 $2,810.00
$5.26 $5,260.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Advanced Linear Devices
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
PDIP-16
N-Channel
4 Channel
10.6 V
80 mA
25 Ohms
- 12 V, 12 V
20 mV
0 C
+ 70 C
500 mW
Enhancement
Tube
Nhãn hiệu: Advanced Linear Devices
Cấu hình: Quad
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: US
Loại sản phẩm: MOSFETs
Sê-ri: ALD210800P
Số lượng Kiện Gốc: 50
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 4 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 10 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 10 ns
Đơn vị Khối lượng: 1.025 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays - INACTIVE

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays are precision matched at the factory using ALD's proven EPAD® CMOS technology. These quad monolithic devices are enhanced additions to the ALD110800A/ALD110800 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconductance and output conductance, particularly at very low supply voltages. Intended for low voltage, low power small signal applications, the ALD210800/ALD210800A features Zero-Threshold™ voltage, which enables circuit designs with input/output signals referenced to GND at enhanced operating voltage ranges. With these devices, a circuit with multiple cascading stages can be built to operate at extremely low supply/bias voltage levels.
Learn More