Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

AS4C128M32MD2A-25BIN

Name: Alliance Memory AS4C128M32MD2A-25BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-4C12832MD2A25BIN
Price: 19.68 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

913-4C12832MD2A25BIN

Số nhà sản xuất:

AS4C128M32MD2A-25BIN

Nsx:

Alliance Memory

Mô tả:

DRAM LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray

Bảng dữ liệu:

AS4C128M32MD2A-25BIN Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Alliance Memory AS4C128M32MD2A-25BIN

Có hàng: 86

Tồn kho:: 86 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$19.68	$19.68
	$18.25	$182.50
	$17.68	$442.00
	$17.25	$862.50
	$16.50	$1,650.00
	$16.08	$2,701.44
	$15.51	$7,817.04
1,008	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Alliance Memory
Danh mục Sản phẩm:	DRAM
RoHS:
Loại:	SDRAM Mobile - LPDDR2
Kích thước bộ nhớ:	4 Gbit
Độ rộng bus dữ liệu:	32 bit
Tần số đồng hồ tối đa:	400 MHz
Đóng gói / Vỏ bọc:	FBGA-134
Tổ chức:	128 M x 32
Thời gian truy cập:	5.5 ns
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	1.14 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	1.95 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 85 C
Sê-ri:	AS4C128M32MD2A-25
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	Alliance Memory
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	TW
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Loại sản phẩm:	DRAM
Số lượng Kiện Gốc:	168
Danh mục phụ:	Memory & Data Storage
Dòng cấp nguồn - Tối đa:	130 mA
Đơn vị Khối lượng:	2.191 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

AS4C128M32MD2A-25BIN Bảng dữ liệu (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

DDR2 SDRAM

Alliance Memory DDR2 SDRAM is designed to comply with DDR2 SDRAM key features. Features such as posted CAS# with additive latency, Write latency=Read latency -1, and On-Die Termination (ODT). All of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes (DQS and DQS#) in a source synchronous fashion. The address bus is used to convey row, column, and bank address information in RAS #, CAS# multiplexing style.

Low-Power DDR2 SDRAM

Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM are high-speed CMOS and dynamic-access memory internally configured as an 8-bank device. These DDR2 SDRAM feature 4-bit pre-fetch DDR architecture, programmable READ and WRITE latencies, auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), and clock stop capability. The DDR2 SDRAM reduces the number of input pins in the system by using a double data rate architecture on the Command/Address (CA) bus. This CA bus transmits address, command, and bank information. These DDR2 SDRAM can achieve high-speed operation by using a double data rate architecture on the DQ (bidirectional/differential data bus) pins.