Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

AS4C128M8D3LB-12BCNTR

Name: Alliance Memory AS4C128M8D3LB-12BCNTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-4C1288D3LB12BCNT
Price: 5.77 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

913-4C1288D3LB12BCNT

Số nhà sản xuất:

AS4C128M8D3LB-12BCNTR

Nsx:

Alliance Memory

Mô tả:

DRAM 1G 1.35V 800MHz 128Mx8 DDR3 E-Temp

Bảng dữ liệu:

AS4C128M8D3LB-12BCNTR Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Alliance Memory AS4C128M8D3LB-12BCNTR

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 8 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 2500 Nhiều: 2500

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
	$5.77	$14,425.00

Bao bì thay thế

Nsx Mã Phụ tùng:

AS4C128M8D3LB-12BCN

Đóng gói:

Tray

Sẵn có:

Có hàng

Giá:

$9.29

Tối thiểu:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Alliance Memory
Danh mục Sản phẩm:	DRAM
RoHS:
Loại:	SDRAM - DDR3L
Kích thước bộ nhớ:	1 Gbit
Độ rộng bus dữ liệu:	8 bit
Tần số đồng hồ tối đa:	800 MHz
Đóng gói / Vỏ bọc:	FBGA-78
Tổ chức:	128 M x 8
Thời gian truy cập:	225 ps
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	1.283 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	1.45 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	0 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 95 C
Sê-ri:	AS4C128M8D3LB
Đóng gói:	Reel
Nhãn hiệu:	Alliance Memory
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	TW
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Loại sản phẩm:	DRAM
Số lượng Kiện Gốc:	2500
Danh mục phụ:	Memory & Data Storage
Dòng cấp nguồn - Tối đa:	72 mA

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

AS4C128M8D3LB-12BCNTR Bảng dữ liệu (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320032
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.

DDR3L SDRAM

Alliance Memory DDR3L SDRAM uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture with an interface that transfers two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or write operation for the DDR3 SDRAM effectively consists of a single 8n-bit-wide, four-clock-cycle data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O pins. Alliance Memory DDR3L SDRAM is available in various package sizes.