Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

AS4C8M16MSA-6BINTR

Name: Alliance Memory AS4C8M16MSA-6BINTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C8M16MSA6BINT
Price: 5.57 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

913-AS4C8M16MSA6BINT

Số nhà sản xuất:

AS4C8M16MSA-6BINTR

Nsx:

Alliance Memory

Mô tả:

DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT

Bảng dữ liệu:

AS4C8M16MSA-6BINTR Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1000 Nhiều: 1000

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
	$5.57	$5,570.00
	$5.45	$10,900.00

Bao bì thay thế

Nsx Mã Phụ tùng:

AS4C8M16MSA-6BIN

Đóng gói:

Tray

Sẵn có:

Có hàng

Giá:

$8.73

Tối thiểu:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Alliance Memory
Danh mục Sản phẩm:	DRAM
RoHS:
Loại:	SDRAM Mobile
Kích thước bộ nhớ:	128 Mbit
Độ rộng bus dữ liệu:	16 bit
Tần số đồng hồ tối đa:	166 MHz
Đóng gói / Vỏ bọc:	FBGA-54
Tổ chức:	8 M x 16
Thời gian truy cập:	5.5 ns
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	1.7 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	1.95 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 85 C
Sê-ri:	AS4C8M16MSA-6
Đóng gói:	Reel
Nhãn hiệu:	Alliance Memory
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	TW
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Loại sản phẩm:	DRAM
Số lượng Kiện Gốc:	1000
Danh mục phụ:	Memory & Data Storage
Dòng cấp nguồn - Tối đa:	50 mA

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

AS4C8M16MSA-6BINTR Bảng dữ liệu (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.