Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

ADPA1116ACGZN-R7

Name: Analog Devices Inc. ADPA1116ACGZN-R7
Brand: Analog Devices
SKU: 584-ADPA1116ACGZN-R7
Price: 370.57 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

584-ADPA1116ACGZN-R7

Số nhà sản xuất:

ADPA1116ACGZN-R7

Nsx:

Analog Devices

Mô tả:

RF Amplifier GaN Wideband Power Amplifier ICs

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

ADPA1116ACGZN-R7 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Analog Devices ADPA1116ACGZN-R7

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 10 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 500 Nhiều: 500

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 500)
	$370.57	$185,285.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Analog Devices Inc.
Danh mục Sản phẩm:	Bộ khuếch đại RF
Tần số vận hành:	300 MHz to 6 GHz
Điện áp cấp vận hành:	28 V
Độ khuếch đại:	32.5 dB
Loại:	Power Amplifiers
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	LFCSP-32
Công nghệ:	GaN
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 85 C
Sê-ri:	ADPA1116
Đóng gói:	Reel
Nhãn hiệu:	Analog Devices
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	TW
Bộ công cụ phát triển:	EVAL-ADPA1116
Số lượng kênh:	1 Channel
Pd - Tiêu tán nguồn:	28.7 W
Loại sản phẩm:	RF Amplifier
Số lượng Kiện Gốc:	500
Danh mục phụ:	Wireless & RF Integrated Circuits

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

ADPA1116ACGZN-R7 Bảng dữ liệu

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

ADPA1116 GaN Power Amplifiers

Analog Devices ADPA1116 GaN Power Amplifiers feature a 39.5dBm saturated output power (P_OUT) power added efficiency (PAE) of 40% and a power gain of 23.5dB typical from 0.5GHz to 5GHz at an input power (P_IN) of 16.0dBm. The RF input and output are internally matched and AC-coupled. A drain bias voltage of 28V is applied to the V_DD1 and V_DD2 pins, which have integrated bias inductors. The drain current is set using a negative voltage to the V_GG1 pin. The ADPA1116 is manufactured using a gallium nitride (GaN) process and is available in a 32-lead chip scale package. The ADI ADPA1116 amps are specified for operation from -40°C to +85°C.