EPC2307

EPC
65-EPC2307
EPC2307

Nsx:

Mô tả:
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Tuổi thọ:
Mới tại Mouser
Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 7,079

Tồn kho:
7,079 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
18 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$5.08 $5.08
$3.38 $33.80
$2.42 $242.00
$2.30 $1,150.00
$2.18 $2,180.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$1.87 $5,610.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
EPC
Danh mục Sản phẩm: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
200 V
63 A
10 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
10.1 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Nhãn hiệu: EPC
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: MY
Nhạy với độ ẩm: Yes
Đóng gói: Reel
Đóng gói: Cut Tape
Sản phẩm: Power Transistor
Loại sản phẩm: GaN FETs
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: GaN
Loại transistor: 1 N-Channel
Đơn vị Khối lượng: 30.300 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.