Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

IXFN80N50

Name: IXYS IXFN80N50
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN80N50
Price: 60.29 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

747-IXFN80N50

Số nhà sản xuất:

IXFN80N50

Nsx:

IXYS

Bảng dữ liệu:

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tồn kho:: 155 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 30 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	IXYS
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Screw Mount
Đóng gói / Vỏ bọc:	SOT-227-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	500 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	80 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	55 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, + 20 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	780 W
Sê-ri:	HiPerFET
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	IXYS
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	KR
Thời gian giảm:	27 ns
Chiều cao:	9.6 mm
Chiều dài:	38.23 mm
Loại sản phẩm:	MOSFET Modules
Thời gian tăng:	70 ns
Số lượng Kiện Gốc:	10
Danh mục phụ:	Discrete and Power Modules
Thương hiệu:	HyperFET
Loại:	HiperFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	102 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	61 ns
Chiều rộng:	25.42 mm
Đơn vị Khối lượng:	30 g