IXTH4N150

IXYS
747-IXTH4N150
IXTH4N150

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs High Voltage Power MOSFET

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 225

Tồn kho:
225 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
49 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$11.28 $11.28
$7.77 $77.70
$5.90 $708.00
$5.78 $2,947.80

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
IXYS
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
4 A
6 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
44.5 nC
- 55 C
+ 150 C
280 W
Enhancement
Tube
Nhãn hiệu: IXYS
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: PH
Loại sản phẩm: MOSFETs
Sê-ri: IXTH4N150
Số lượng Kiện Gốc: 30
Danh mục phụ: Transistors
Đơn vị Khối lượng: 6 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8542900006
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors