IXTP170N13X4

IXYS
747-IXTP170N13X4
IXTP170N13X4

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs IXTP170N13X4

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về IXYS IXTP170N13X4

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
27 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 300   Nhiều: 50
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$9.39 $2,817.00
$8.30 $4,150.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
IXYS
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
135 V
170 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
480 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Nhãn hiệu: IXYS
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: KR
Thời gian giảm: 7 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 70 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 8 ns
Sê-ri: X4-Class
Số lượng Kiện Gốc: 50
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 46 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 26 ns
Đơn vị Khối lượng: 2 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Giải pháp sạc xe điện

Giải pháp sạc xe điện (EV) của Littelfuse cho phép các nhà thiết kế lựa chọn các giải pháp lý tưởng để đảm bảo bộ phận sạc EV hoạt động đúng và an toàn. Trạm sạc EV bên ngoài hoạt động trong các môi trường khắc nghiệt như nắng nóng, lạnh, mưa, tuyết và sét đánh. Sản phẩm của Littelfuse bảo vệ thiết bị khỏi các nguy cơ, giảm thiểu tối đa lỗi.

X4-Class 135V-200V Power MOSFETs

IXYS X4-Class 135V-200V Power MOSFETs are developed using a charge compensation principle and proprietary process technology. This technology results in Power MOSFETs with significantly reduced resistance RDS(on) and gate charge Qg. A low on-state resistance reduces the conduction losses and lowers the energy stored in the output capacitance, minimizing the switching losses. A low gate charge results in higher efficiency at light loads and lowers gate drive requirements. These MOSFETs are also avalanche-rated and exhibit a superior dv/dt performance. Due to its positive temperature coefficient of on-state resistance, these MOSFETs can be operated in parallel to meet higher current requirements.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.