BFP 740F H6327

Infineon Technologies
726-BFP740FH6327
BFP 740F H6327

Nsx:

Mô tả:
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies BFP 740F H6327

Có hàng: 8,824

Tồn kho:
8,824 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
3 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ †
$1.09 $1.09
$0.679 $6.79
$0.442 $44.20
$0.341 $170.50
$0.308 $308.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$0.279 $837.00
$0.249 $1,494.00
$0.247 $2,223.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

Bao bì thay thế

Nsx Mã Phụ tùng:
BFP740FH6327XTSA1
Đóng gói:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Sẵn có:
Có hàng
Giá:
$0.56
Tối thiểu:
1

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: Transitor lưỡng cực RF
RoHS:  
BFP740
Bipolar
SiGe
42 GHz
4 V
1.2 V
30 mA
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
TSFP-4
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: DE
Pd - Tiêu tán nguồn: 160 mW
Loại sản phẩm: RF Bipolar Transistors
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Mã Bí danh: SP000750416 BFP74FH6327XT BFP740FH6327XTSA1
Đơn vị Khối lượng: 1.870 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Product Catalogs

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.

BFPx4 RF Transistors

Infineon BFPx4 RF Transistors provide the designer the best possible performance, superior flexibility and price/performance ratio. These are widely used for new emerging wireless applications, where the system specification is not yet firmly established. The BFxx Low Noise Amplifiers (LNAs) include devices suitable for use from AM over VHF/UHF up to 14GHz. These are the latest LNA innovations based on Infineon's reliable high volume 80GHz fT silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. They combine uncompromised RF performance with outstanding robustness against high RF input power overdrive and ESD.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.