IPP65R045C7

Infineon Technologies
726-IPP65R045C7
IPP65R045C7

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IPP65R045C7

Có hàng: 774

Tồn kho:
774 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
8 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$9.89 $9.89
$7.74 $77.40
$6.45 $645.00
$5.74 $2,870.00
$5.37 $5,370.00
10,000 Báo giá

Bao bì thay thế

Nsx Mã Phụ tùng:
IPP65R045C7XKSA1
Đóng gói:
Tube
Sẵn có:
Có hàng
Giá:
$9.42
Tối thiểu:
1

Sản phẩm Tương tự

Infineon Technologies IPP65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
So sánh với Phần Hiện tại

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
46 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
93 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: DE
Thời gian giảm: 7 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 14 ns
Sê-ri: CoolMOS C7
Số lượng Kiện Gốc: 500
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 82 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 20 ns
Mã Bí danh: SP000929422 IPP65R045C7XKSA1
Đơn vị Khối lượng: 2 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Product Catalogs

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ C7 Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ C7 Power MOSFETs are a revolutionary step forward in technology, providing low RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range. The C7 is optimized for hard switching topologies such as Power Factor Correction (CCM PFC), Two Transistor Forward (TTF) and Solar Boost in applications such as Solar, Server, Telecom and UPS. The 650V breakdown voltage makes it suitable for Solar and Switched Mode Power Supplies (SMPS) PFC stages where extra safety margin are required. They offer the world's lowest RDS(on) of 19mΩ in a TO-247 and 45mΩ in TO-220 and D2PAK packages. The fast switching performance of C7 now enables customers to operate at switching frequencies greater than 100kHz while achieving titanium levels of efficiency in Server PFC stages.

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.