Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

S29GL01GS10TFI020

Name: Infineon S29GL01GS10TFI020
Brand: Infineon Technologies
SKU: 797-S29GL01GS10TFI02
Price: 12.49 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

797-S29GL01GS10TFI02

Số nhà sản xuất:

S29GL01GS10TFI020

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

NOR Flash 1G 3V 100ns Parallel NOR Flash

Bảng dữ liệu:

S29GL01GS10TFI020 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies S29GL01GS10TFI020

Có hàng: 1,562

Tồn kho:: 1,562 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 3 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$12.49	$12.49
	$11.89	$118.90
	$9.83	$245.75
	$9.49	$474.50
	$9.26	$926.00
	$9.12	$2,280.00
	$8.93	$4,465.00
	$8.92	$8,117.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	Flash NOR
RoHS:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	TSOP-56
Sê-ri:	S29GL01G/512/256/128S
Kích thước bộ nhớ:	1 Gbit
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	2.7 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	3.6 V
Dòng hoạt động đọc được - Tối đa:	60 mA
Loại giao diện:	Parallel
Tổ chức:	64 M x 16
Độ rộng bus dữ liệu:	16 bit
Loại định thời:	Asynchronous
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 85 C
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Quốc gia Hội nghị:	TH
Quốc gia phân phối:	CN
Quốc gia xuất xứ:	CN
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Loại sản phẩm:	NOR Flash
Tốc độ:	100 ns
Số lượng Kiện Gốc:	910
Danh mục phụ:	Memory & Data Storage
Thương hiệu:	MirrorBit
Đơn vị Khối lượng:	17.327 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

S29GL01GS10TFI020 Bảng dữ liệu (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542326100
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.1.a

MIRRORBIT™ NOR GL Flash Memory Device

Infineon Technologies MIRRORBIT™ NOR GL Flash Memory Devices include the 100ns access speeds. This additional offering of Cypress MIRRORBIT NOR GL Flash Memory now provides the fastest access times in the high-density versions available. MIRRORBIT NOR GL Flash Memory Devices are ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption. Cypress MIRRORBIT GL NOR Flash family is optimized for various embedded applications' voltage, density, cost-per-bit, reliability, performance, and scalability needs. With densities from 32MB to 2GB, each MIRRORBIT NOR GL Flash Memory Device requires only a 3.0V power supply for reading and writing functions and is entirely command set compatible with the JEDEC Flash standards. The Cypress MIRRORBIT GL Flash Memory Device family supports Cypress' Universal Footprint, which provides one footprint across all densities, product families, and process technologies, allowing manufacturers to design a single platform and simply scale Flash memory capacity up or down, depending on the features and functionality of the target end system.

S29GL01G/512/256/128S MIRRORBIT™ Flash Memory

Infineon Technologies S29GL01G/512/256/128S MIRRORBIT™ Eclipse Flash Memory is optimized for voltage, density, cost-per-bit, reliability, performance, and scalability needs. With densities from 32MB-2GB, each MIRRORBIT Memory Device requires only a single 3.0V power supply for read and write functions. The entire command set is compatible with the JEDEC Flash standards. The MIRRORBIT GL Flash Memory Device family supports Universal Footprint, which provides one footprint across all densities. The flash memory also supports product families and process technologies. This allows manufacturers to design single platform and simple scale Flash memory capacity up or down, depending on features and functionality.

S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash

Infineon Technologies S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash products are fabricated on 65nm process technology. These devices offer a fast page access time - as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. MIRRORBIT Eclipse™ Flash non-volatile memory is a CMOS 3V core with versatile I/O interface. Infineon S29 GL-S MIRRORBIT Eclipse™ Flash features a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This results in faster effective programming time than standard programming algorithms. Programming time makes the S29 GL-S flash ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.