Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

S80KS5122GABHI020

Name: Infineon S80KS5122GABHI020
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S5122GABHI020
Price: 9.81 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

727-S5122GABHI020

Số nhà sản xuất:

S80KS5122GABHI020

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

DRAM SPCM

Bảng dữ liệu:

S80KS5122GABHI020 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies S80KS5122GABHI020

Sẵn có

Tồn kho:: 0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 338
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 26

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$9.81	$9.81
	$9.12	$91.20
	$8.61	$215.25
	$8.42	$421.00
	$7.86	$2,656.68

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	DRAM
RoHS:
Loại:	HyperRAM
Kích thước bộ nhớ:	512 Mbit
Độ rộng bus dữ liệu:	8 bit
Tần số đồng hồ tối đa:	200 MHz
Đóng gói / Vỏ bọc:	FBGA-24
Tổ chức:	64 M x 8
Thời gian truy cập:	35 ns
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	1.7 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	2 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 85 C
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	TH
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Loại sản phẩm:	DRAM
Số lượng Kiện Gốc:	338
Danh mục phụ:	Memory & Data Storage
Dòng cấp nguồn - Tối đa:	44 mA

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

S80KS5122GABHI020 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320032
ECCN:: 3A991.b.2

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory

Infineon Technologies S80KS5122 and S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory is a high-speed, low-pin-count, low-power self-refresh Dynamic RAM (DRAM) for high-performance embedded systems requiring expansion memory for scratchpad or buffering purposes. HYPERRAM products support JEDEC JESD251 profile compliant HYPERBUS™ and Octal xSPI interfaces that draw upon the legacy features of both parallel and serial interface memories while enhancing system performance and ease of design as reducing system cost. The low-pin count architecture makes HYPERRAM especially suitable for power and board space-constrained applications requiring off-chip external RAM.