Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

CGH40120F

Name: MACOM CGH40120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH40120F
Price: 618.89 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

941-CGH40120F

Số nhà sản xuất:

CGH40120F

Nsx:

MACOM

Mô tả:

GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt

Bảng dữ liệu:

CGH40120F Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về MACOM CGH40120F

Sẵn có

Tồn kho:: 0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 250
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 26

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$618.89	$618.89

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	MACOM
Danh mục Sản phẩm:	FET GaN
RoHS:
Kiểu gắn:	Screw Mount
Đóng gói / Vỏ bọc:	440193
Cực tính transistor:	N-Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	120 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	12 A
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	- 3 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Nhãn hiệu:	MACOM
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	US
Bộ công cụ phát triển:	CGH40120F-TB
Độ khuếch đại:	19 dB
Tần số làm việc tối đa:	2.5 GHz
Tần số làm việc tối thiểu:	1 GHz
Công suất đầu ra:	120 W
Đóng gói:	Tray
Sản phẩm:	GaN HEMTs
Loại sản phẩm:	GaN FETs
Số lượng Kiện Gốc:	25
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	GaN
Loại transistor:	GaN HEMT
Vgs - Điện áp đánh thủng cực cổng-cực nguồn:	- 10 V to 2 V
Đơn vị Khối lượng:	30.467 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

CGH40120F Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.