Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

GTRA364002FC-V1-R0

Name: MACOM GTRA364002FC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTRA364002FCV1R0
Price: 278.1 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

941-GTRA364002FCV1R0

Số nhà sản xuất:

GTRA364002FC-V1-R0

Nsx:

MACOM

Mô tả:

GaN FETs 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

Bảng dữ liệu:

GTRA364002FC-V1-R0 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về MACOM GTRA364002FC-V1-R0

Thông báo giao hàng:

Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.

Có hàng: 40

Tồn kho:: 40 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Đóng gói:

Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 50)

ĐOẠN NGẮN

MouseReel™ (+$7.00)

Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	$278.10	$278.10
	$229.48	$2,294.80
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 50)
	$229.48	$11,474.00
100	Báo giá

† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	MACOM
Danh mục Sản phẩm:	FET GaN
Thông báo giao hàng:	Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.
RoHS:
Kiểu gắn:	Screw Mount
Đóng gói / Vỏ bọc:	H-37248C-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	125 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	8.1 A
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 225 C
Nhãn hiệu:	MACOM
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	US
Độ khuếch đại:	13 dB
Tần số làm việc tối đa:	3.6 GHz
Tần số làm việc tối thiểu:	3.4 GHz
Công suất đầu ra:	400 W
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Loại sản phẩm:	GaN FETs
Số lượng Kiện Gốc:	50
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	GaN
Loại transistor:	GaN HEMT
Vgs - Điện áp đánh thủng cực cổng-cực nguồn:	- 10 V to 2 V

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

GTRA364002FC-V1-R0 Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a

JFET RF 5 G & FET LDMOS

Transistor hiệu ứng trường chuyển tiếp (JFET) RF 5G và FET bán dẫn oxit kim loại khuếch tán bên (LDMOS) là các transistor công suất cao tăng cường nhiệt phù hợp với truyền dẫn không dây thế hệ tiếp theo. Các thiết bị này trang bị công nghệ Bán dẫn Di động electron cao (HEMT) GaN trên SiC, khớp đầu vào, hiệu suất cao và đóng gói gắn bề mặt tăng cường nhiệt với mặt bích không cánh. JFET RF 5 G và FET LDMOS của MACOM phù hợp với các ứng dụng bộ khuếch đại nguồn di động đa tiêu chuẩn.