Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

APTGX600A170TDP3EG

Name: Microchip APTGX600A170TDP3EG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-TGX600A170TDP3EG
Price: 218.89 USD
Availability: OutOfStock

Mã của Mouser

579-TGX600A170TDP3EG

Số nhà sản xuất:

APTGX600A170TDP3EG

Nsx:

Microchip Technology

Mô tả:

IGBT Modules PM-IGBT-TFS-DP3

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

APTGX600A170TDP3EG Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Microchip Technology APTGX600A170TDP3EG

Sẵn có

Tồn kho:: 0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 40 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$218.89	$218.89

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Microchip
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun IGBT
RoHS:
Sản phẩm:	IGBT Modules
Cấu hình:	Dual
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	1.7 kV
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	1.7 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	600 A
Dòng rò cực cổng-cực phát:	200 nA
Pd - Tiêu tán nguồn:	2.272 kW
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Nhãn hiệu:	Microchip Technology
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	Not Available
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	20 V
Kiểu gắn:	Press Fit
Loại sản phẩm:	IGBT Modules
Số lượng Kiện Gốc:	1
Danh mục phụ:	Discrete and Power Modules
Công nghệ:	Si

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

APTGX600A170TDP3EG Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000

IGBT 7 Power Modules

Microchip Technology Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) 7 Power Modules consist of multiple IGBT chips and freewheeling diodes that are encapsulated in a single package, creating a compact and efficient solution for high-power applications. These modules control and convert electrical power and feature increased power capability and lower power losses. The lGBT 7 lineup includes a variety of package types and topologies with a voltage range of 1200V to 1700V and a current range of 50A to 900A. These power modules are an improvement over legacy generations by offering lower V_CE(sat) and V_f, enhanced controllability of dv/dt, 50% higher current capability, overload capacity at T_j +175°C, improved freewheeling diode softness, and simpler driving. These features provide a differentiated value proposition of high power density, reduced system costs, higher efficiency, ease of use, durability, and faster time to market.