MSC040SMA120B4

Microchip Technology
494-MSC040SMA120B4
MSC040SMA120B4

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 7

Tồn kho:
7 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
7 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$17.47 $17.47
$16.11 $483.30
$14.02 $1,682.40

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Microchip
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
66 A
40 mOhms
- 10 V, + 23 V
2.6 V
137 nC
- 55 C
+ 175 C
323 W
Enhancement
Nhãn hiệu: Microchip Technology
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: PH
Đóng gói: Tube
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Số lượng Kiện Gốc: 30
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Đơn vị Khối lượng: 6 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.