Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

MSC050SDA120S

Name: Microchip MSC050SDA120S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC050SDA120S
Price: 17.85 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

494-MSC050SDA120S

Số nhà sản xuất:

MSC050SDA120S

Nsx:

Microchip Technology

Mô tả:

SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-268

Xem trong Bộ chọn Công cụ phát triển

Bảng dữ liệu:

MSC050SDA120S Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Microchip Technology MSC050SDA120S

Có hàng: 65

Tồn kho:: 65 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 3 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$17.85	$17.85
	$16.46	$493.80
	$14.33	$1,719.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Microchip
Danh mục Sản phẩm:	Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	D3PAK
Cấu hình:	Single
If - Dòng thuận:	50 A
Vrrm - Điện áp ngược lặp lại:	1.2 kV
Ff - Điện áp thuận:	1.5 V
Ifsm - Dòng tăng thuận:	290 A
Ir - Dòng ngược:	200 uA
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Sê-ri:	MSC0
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	Microchip Technology
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	PH
Pd - Tiêu tán nguồn:	429 W
Loại sản phẩm:	SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc:	30
Danh mục phụ:	Diodes & Rectifiers
Vr - Điện áp ngược:	1.2 kV

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

MSC050SDA120S Bảng dữ liệu (PDF)

DTS

Xem trong Bộ chọn Công cụ phát triển

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.