MSCSM120AM03CT6LIAG

Microchip Technology
494-SM120AM03CT6LIAG
MSCSM120AM03CT6LIAG

Nsx:

Mô tả:
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Xem trong Bộ chọn Công cụ phát triển

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Microchip Technology MSCSM120AM03CT6LIAG

Có hàng: 1

Tồn kho:
1 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$949.40 $949.40
100 Báo giá

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Microchip
Danh mục Sản phẩm: Mô-đun bán dẫn rời rạc
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
SMD/SMT
SP6
- 40 C
+ 125 C
Nhãn hiệu: Microchip Technology
Cấu hình: Dual
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: PH
Thời gian giảm: 67 ns
Id - Dòng cực máng liên tục: 805 A
Pd - Tiêu tán nguồn: 3.215 kW
Loại sản phẩm: Discrete Semiconductor Modules
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn: 3.1 mOhms
Thời gian tăng: 55 ns
Số lượng Kiện Gốc: 1
Danh mục phụ: Discrete Semiconductor Modules
Cực tính transistor: N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 166 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 56 ns
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn: 1.2 kV
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn: 1.8 V
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

DTS

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFET Power Modules

Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes and combine the advantages of both devices. These power modules feature an extremely low inductance SP6LI package with a maximum stray inductance of 3nH. These SP6LI power modules are offered in 1200V and 1700V variants with a case temperature (Tc) of +80°C. Offering higher power density and a compact form factor, the SP6LI package enables a lower quantity of modules in parallel to achieve complete systems, helping designers to downsize their equipment further.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.