SCTWA90N65G2V-4
Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm
511-SCTWA90N65G2V-4
SCTWA90N65G2V-4
Nsx:
Mô tả:
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
Bảng dữ liệu:
Có hàng: 101
-
Tồn kho:
-
101 Có thể Giao hàng NgayĐã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
-
Thời gian sản xuất của nhà máy:
-
22 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Số lượng lớn hơn 101 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Giá (USD)
| Số lượng | Đơn giá |
Thành tiền
|
|---|---|---|
| $29.12 | $29.12 | |
| $22.01 | $220.10 | |
| $21.07 | $2,107.00 | |
| 600 | Báo giá |
Sản phẩm Tương tự
STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- ECCN:
- EAR99
