STB45N40DM2AG

STMicroelectronics
511-STB45N40DM2AG
STB45N40DM2AG

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 1,230

Tồn kho:
1,230 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
18 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$7.76 $7.76
$5.31 $53.10
$4.07 $407.00
$4.06 $2,030.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
$3.78 $3,780.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
400 V
38 A
72 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: CN
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Thời gian giảm: 9.8 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 6.7 ns
Sê-ri: STB45N40DM2AG
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: Transistors
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 68 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 20 ns
Đơn vị Khối lượng: 4 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.