STD5N60DM2

STMicroelectronics
511-STD5N60DM2
STD5N60DM2

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 1,311

Tồn kho:
1,311 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
18 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$1.33 $1.33
$0.835 $8.35
$0.552 $55.20
$0.446 $223.00
$0.406 $406.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
$0.33 $825.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
3.5 A
1.38 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
8.6 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Thời gian giảm: 19.8 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 4.1 ns
Sê-ri: STD5N60DM2
Số lượng Kiện Gốc: 2500
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 17 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 7.2 ns
Đơn vị Khối lượng: 330 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.