Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

STDRIVEG210Q

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-STDRIVEG210Q

Số nhà sản xuất:

STDRIVEG210Q

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

STDRIVEG210Q Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics STDRIVEG210Q

Hạn chế giao hàng:

Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.

Sẵn có

Tồn kho:: Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	Bộ điều hợp cổng
Hạn chế giao hàng:	Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.
RoHS:
Sản phẩm:	Gate Drivers
Loại:	Half-Bridge
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	QFN-18
Số mạch điều khiển:	2 Driver
Số lượng đầu ra:	2 Output
Dòng đầu ra:	1.05 A, 2.4 A
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	9.2 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	18 V
Thời gian tăng:	22 ns
Thời gian giảm:	11 ns
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 125 C
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	TH
Điện áp đầu vào - Tối đa:	20 V
Điện áp đầu vào - Tối thiếu:	3 V
Thời gian trễ khi tắt tối đa:	60 ns
Thời gian trễ khi bật tối đa:	60 ns
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Dòng cấp nguồn vận hành:	920 uA
Điện áp đầu ra:	220 V
Loại sản phẩm:	Gate Drivers
Độ trễ lan truyền - Tối đa:	60 ns
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	7 Ohms
Tắt:	Shutdown
Số lượng Kiện Gốc:	490
Danh mục phụ:	PMIC - Power Management ICs
Công nghệ:	GaN

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

STDRIVEG210Q Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.

STDRIVEG210 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG210 Half-Bridge Gate Drivers are designed for N‑channel enhancement mode GaN, and the high-side driver section can withstand a voltage rail up to 220V. These drivers feature high current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs. This makes them optimized for driving high-speed GaN. The STDRIVEG210 half-bridge gate drivers feature supply UVLOs tailored to fast startup and low-consumption soft-switching applications. The high-side regulator is characterized by a very short wake-up time to maximize the application efficiency during intermittent operation (burst mode). These drivers offer an extended range for input pins that allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows for reducing the power consumption during inactive periods or burst mode. Applications include DC/DC, AC/DC, resonant converters, synchronous rectification, UPS, adapters, LED lighting, and USB-C.