STGF10NC60KD

STMicroelectronics
511-STGF10NC60KD
STGF10NC60KD

Nsx:

Mô tả:

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 255

Tồn kho:
255
Có thể Giao hàng Ngay
Đang đặt hàng:
1,000
Thời gian sản xuất của nhà máy:
14
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$1.53 $1.53
$0.763 $7.63
$0.68 $68.00
$0.559 $279.50
$0.498 $498.00
$0.458 $916.00
$0.45 $2,250.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3 FP
Through Hole
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
9 A
25 W
- 55 C
+ 150 C
STGF10NC60KD
Tube
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
IC dòng cực góp liên tục tối đa: 9 A
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Dòng rò cực cổng-cực phát: 100 nA
Loại sản phẩm: IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: IGBTs
Đơn vị Khối lượng: 2.300 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99