STGW30NC60WD

STMicroelectronics
511-STGW30NC60WD
STGW30NC60WD

Nsx:

Mô tả:

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 400

Tồn kho:
400 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$5.56 $5.56
$3.14 $31.40
$2.44 $244.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
600 V
2.1 V
- 20 V, 20 V
60 A
200 W
- 55 C
+ 150 C
STGW30NC60WD
Tube
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
IC dòng cực góp liên tục tối đa: 60 A
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Dòng rò cực cổng-cực phát: 100 nA
Loại sản phẩm: IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc: 600
Danh mục phụ: IGBTs
Đơn vị Khối lượng: 38 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99