Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

STGW50H65DFB2-4

Name: STMicroelectronics STGW50H65DFB2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW50H65DFB2-4
Price: 5.3 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-STGW50H65DFB2-4

Số nhà sản xuất:

STGW50H65DFB2-4

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Bảng dữ liệu:

STGW50H65DFB2-4 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics STGW50H65DFB2-4

Có hàng: 564

Tồn kho:: 564 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 15 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Số lượng lớn hơn 564 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$5.30	$5.30
	$2.99	$29.90
	$2.26	$226.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	IGBT
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Through Hole
Cấu hình:	Single
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	650 V
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	1.55 V
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	- 20 V, 20 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	86 A
Pd - Tiêu tán nguồn:	272 W
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Loại sản phẩm:	IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	600
Danh mục phụ:	IGBTs
Đơn vị Khối lượng:	4.430 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

STGW50H65DFB2-4 Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.