Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

STGW75H65DFB2-4

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-STGW75H65DFB2-4

Số nhà sản xuất:

STGW75H65DFB2-4

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Bảng dữ liệu:

STGW75H65DFB2-4 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4

Hạn chế giao hàng:

Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.

Sẵn có

Tồn kho:: Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	IGBT
Hạn chế giao hàng:	Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Through Hole
Cấu hình:	Single
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	650 V
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	1.55 V
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	- 20 V, 20 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	115 A
Pd - Tiêu tán nguồn:	357 W
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Loại sản phẩm:	IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	600
Danh mục phụ:	IGBTs
Đơn vị Khối lượng:	4.430 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

STGW75H65DFB2-4 Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at T_J=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (V_CE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.