STGWA40H65FB

STMicroelectronics
511-STGWA40H65FB
STGWA40H65FB

Nsx:

Mô tả:
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Thời gian sản xuất của nhà máy:
14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$4.96 $4.96
$2.84 $28.40
$2.35 $235.00
$1.99 $1,194.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
80 A
283 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA40H65FB
Tube
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: IT
Dòng rò cực cổng-cực phát: 250 nA
Loại sản phẩm: IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc: 600
Danh mục phụ: IGBTs
Đơn vị Khối lượng: 6.100 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99