STL125N8F7AG

STMicroelectronics
511-STL125N8F7AG
STL125N8F7AG

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 2,955

Tồn kho:
2,955 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
17 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$3.13 $3.13
$2.04 $20.40
$1.42 $142.00
$1.20 $600.00
$1.11 $1,110.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$1.11 $3,330.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
80 V
120 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
76 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Thời gian giảm: 23 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 39 ns
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 47 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 23 ns
Đơn vị Khối lượng: 76 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.