STPSC406D

STMicroelectronics
511-STPSC406D
STPSC406D

Nsx:

Mô tả:
SiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
Hoàn tất Thiết kế của bạn

Tuổi thọ:
Xác nhận Tình trạng với Nhà máy:
Thông tin tuổi thọ không rõ ràng. Nhận báo giá để kiểm tra số lượng sẵn có của mã phụ tùng này từ nhà sản xuất.
Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics STPSC406D

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
52 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1000   Nhiều: 1000
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$1.14 $1,140.00

Sản phẩm Tương tự

STMicroelectronics STPSC4H065D
STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650V pwr Schottky 4A 650V VRRM
So sánh với Phần Hiện tại

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
4 A
600 V
1.9 V
14 A
50 uA
- 40 C
+ 175 C
STPSC
Tube
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Loại sản phẩm: SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: Diodes & Rectifiers
Đơn vị Khối lượng: 6 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
8541100901
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.