Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

STW68N65DM6-4AG

Name: STMicroelectronics STW68N65DM6-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW68N65DM6-4AG
Price: 13.05 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-STW68N65DM6-4AG

Số nhà sản xuất:

STW68N65DM6-4AG

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Bảng dữ liệu:

STW68N65DM6-4AG Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics STW68N65DM6-4AG

Có hàng: 7

Tồn kho:: 7 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Số lượng lớn hơn 7 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$13.05	$13.05
	$8.02	$80.20
	$7.30	$730.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Through Hole
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	650 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	72 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	39 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.75 V
Qg - Điện tích cực cổng:	118 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	480 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Tiêu chuẩn:	AEC-Q101
Thương hiệu:	MDmesh
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Số lượng Kiện Gốc:	600
Danh mục phụ:	Transistors
Đơn vị Khối lượng:	6.080 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

STW68N65DM6-4AG Bảng dữ liệu (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.