CSD17313Q2

Texas Instruments
595-CSD17313Q2
CSD17313Q2

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 24,887

Tồn kho:
24,887 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
12 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1   Tối đa: 1920
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$0.75 $0.75
$0.46 $4.60
$0.299 $29.90
$0.228 $114.00
$0.204 $204.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$0.204 $612.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Bao bì thay thế

Nsx Mã Phụ tùng:
Đóng gói:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Sẵn có:
Có hàng
Giá:
$1.75
Tối thiểu:
1

Sản phẩm Tương tự

Texas Instruments CSD17313Q2T
Texas Instruments
MOSFETs 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Texas Instruments
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WSON-6
N-Channel
1 Channel
30 V
5 A
30 mOhms
- 8 V, 8 V
900 mV
2.1 nC
- 55 C
+ 150 C
17 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Texas Instruments
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: CN
Quốc gia phân phối: TW
Quốc gia xuất xứ: CN
Bộ công cụ phát triển: TMDSCSK388, TMDSCSK8127
Thời gian giảm: 1.3 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 3.9 ns
Sê-ri: CSD17313Q2
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 4.2 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 2.8 ns
Đơn vị Khối lượng: 8.700 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFETPower MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

CSD17303Q5 / CSD17313Q2 NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments CSD17303Q5 and CSD17313Q2 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications. The TI CSD17303Q5 and TI CSD17313Q2 NexFET Power MOSFETs feature ultralow Qg and Qgd as well as low thermal resistance.

TI N-Channel 8-23-12