Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

CSD25501F3T

Name: Texas Instruments CSD25501F3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25501F3T
Price: 1.4 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

595-CSD25501F3T

Số nhà sản xuất:

CSD25501F3T

Nsx:

Texas Instruments

Mô tả:

MOSFETs #NAME?

Bảng dữ liệu:

CSD25501F3T Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Texas Instruments CSD25501F3T

Có hàng: 820

Tồn kho:: 820 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 6 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1 Tối đa: 240

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Đóng gói:

Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 250)

ĐOẠN NGẮN

MouseReel™ (+$7.00)

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	$1.40	$1.40
	$0.882	$8.82
	$0.508	$50.80
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 250)
	$0.508	$127.00

† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

Bao bì thay thế

Nsx Mã Phụ tùng:

CSD25501F3

Đóng gói:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Sẵn có:

Có hàng

Giá:

$0.38

Tối thiểu:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Texas Instruments
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	PICOSTAR-3
Cực tính transistor:	P-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	20 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	3.6 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	260 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	1.05 V
Qg - Điện tích cực cổng:	1.02 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	500 mW
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Nhãn hiệu:	Texas Instruments
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	PH
Quốc gia phân phối:	CN
Quốc gia xuất xứ:	PH
Thời gian giảm:	945 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	3.4 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	428 ns
Sê-ri:	CSD25501F3
Số lượng Kiện Gốc:	250
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 P-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	1154 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	474 ns
Đơn vị Khối lượng:	0.300 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

CSD25501F3T Bảng dữ liệu

SPICE Models

CSD25501F3 PSPICE Model

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET

Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on the duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode of the Texas Instruments CSD25501F3 increases as VGS is increased above –6V.