LM5113QDPRRQ1

Texas Instruments
595-LM5113QDPRRQ1
LM5113QDPRRQ1

Nsx:

Mô tả:
Gate Drivers Automotive 1.2-A/5-A 100-V half bridge

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 1,896

Tồn kho:
1,896 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
12 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 4500)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$4.41 $4.41
$3.35 $33.50
$3.09 $77.25
$2.79 $279.00
$2.65 $662.50
$2.57 $1,285.00
$2.50 $2,500.00
$2.39 $5,975.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 4500)
$2.38 $10,710.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Texas Instruments
Danh mục Sản phẩm: Bộ điều hợp cổng
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
WSON-10
2 Driver
2 Output
5 A
4.5 V
5.5 V
7 ns
3.5 ns
- 40 C
+ 125 C
LM5113
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Texas Instruments
Quốc gia Hội nghị: MY
Quốc gia phân phối: US
Quốc gia xuất xứ: MY
Thời gian trễ khi tắt tối đa: 26.5 ns
Thời gian trễ khi bật tối đa: 28 ns
Dòng cấp nguồn vận hành: 2 mA
Loại sản phẩm: Gate Drivers
Số lượng Kiện Gốc: 4500
Danh mục phụ: PMIC - Power Management ICs
Công nghệ: Si
Đơn vị Khối lượng: 49.200 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LM5113/LM5113-Q1 Half-Bridge Gate Driver

Texas Instruments LM5113/LM5113-Q1 Half-Bridge Gate Driver is designed to drive both the high-side and the low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of driving a high-side enhancement mode GaN FET operating up to 100V. The high-side bias voltage is generated using a bootstrap technique and is internally clamped at 5.2V. This clamping prevents the gate voltage from exceeding the maximum gate-source voltage rating of enhancement mode GaN FETs. The inputs of the LM5113/LM5113-Q1 are TTL logic compatible and can withstand input voltages up to 14V regardless of the VDD voltage. The LM5113/LM5113-Q1 has split gate outputs, providing flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength independently. The LM5113-Q1 devices are AEC-Q100 qualified for automotive applications.