Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

LSIC1MO120E0120

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

576-LSIC1MO120E0120

Số nhà sản xuất:

LSIC1MO120E0120

Nsx:

IXYS

Tuổi thọ:

Đơn hàng đặc biệt từ nhà máy:

Nhận báo giá để kiểm tra giá hiện tại, tổng thời gian giao hàng và yêu cầu đặt hàng của nhà sản xuất.

Bảng dữ liệu:

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Yêu cầu Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	IXYS
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-3
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	1.2 kV
Id - Dòng cực máng liên tục:	27 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	150 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	1.8 V
Qg - Điện tích cực cổng:	80 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	139 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	IXYS
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Thời gian giảm:	10 ns
Đóng gói:	Tube
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	7 ns
Sê-ri:	LSIC1MO
Số lượng Kiện Gốc:	450
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	16 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	12 ns
Đơn vị Khối lượng:	6 g