Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

1ED3321MC12NXUMA1

Name: Infineon 1ED3321MC12NXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1ED3321MC12NXUMA
Price: 3.39 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-1ED3321MC12NXUMA

Số nhà sản xuất:

1ED3321MC12NXUMA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

Gate Drivers ISOLATED DRIVER

Bảng dữ liệu:

1ED3321MC12NXUMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies 1ED3321MC12NXUMA1

Có hàng: 9,484

Tồn kho:: 9,484 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 27 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$3.39	$3.39
	$2.56	$25.60
	$2.34	$58.50
	$2.12	$212.00
	$2.00	$500.00
	$1.93	$965.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
	$1.86	$1,860.00
	$1.79	$3,580.00
	$1.73	$8,650.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	Bộ điều hợp cổng
RoHS:
Sản phẩm:	Isolated Gate Drivers
Loại:	High-Side
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	DSO-16
Số mạch điều khiển:	1 Driver
Số lượng đầu ra:	1 Output
Dòng đầu ra:	8.5 A
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	2.5 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	5.5 V
Cấu hình:	Inverting, Non-Inverting
Thời gian tăng:	530 ns
Thời gian giảm:	370 ns
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 125 C
Sê-ri:	Enhanced F3 family
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Quốc gia Hội nghị:	ID
Quốc gia phân phối:	DE
Quốc gia xuất xứ:	DE
Loại logic:	CMOS
Thời gian trễ khi tắt tối đa:	92 ns
Thời gian trễ khi bật tối đa:	84 ns
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Dòng cấp nguồn vận hành:	1.1 mA
Điện áp đầu ra:	35 V
Pd - Tiêu tán nguồn:	810 mW
Loại sản phẩm:	Gate Drivers
Độ trễ lan truyền - Tối đa:	15 ns
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	2.35 Ohms
Tắt:	Shutdown
Số lượng Kiện Gốc:	1000
Danh mục phụ:	PMIC - Power Management ICs
Công nghệ:	Si
Thương hiệu:	EiceDRIVER
Mã Bí danh:	1ED3321MC12N SP005433357

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

1ED3321MC12NXUMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ Enhanced F3 Family

Infineon Technologies EiceDRIVER™ Enhanced F3 Family (1ED332x) are 8.5A single channel isolated drivers in a 300mil DSO-16 package. The 1ED332xMC12N family provides features intended to address the market, including soft-off and hard-off fault turn-offs, IGBT and SiC undervoltage lockout (UVLO) settings, two different output current strengths, and two different output configurations. This F3 product family is an excellent solution for SiC MOSFET short-circuit protection.

2ED EiceDRIVER™ 2-Channel MOSFET Driver ICs

Infineon Technologies 2ED EiceDRIVER™ 2-Channel MOSFET Driver ICs are the crucial link between Control ICs and powerful MOSFET and GaN switching devices. These MOSFET driver ICs enable high system level efficiencies, excellent power density, and consistent system robustness.

EiceDRIVER™ Enhanced Isolated Gate Driver ICs

Infineon Technologies EiceDRIVER™ Enhanced Isolated Gate Driver ICs offer protection features such as DESAT, miller clamp, soft-off for MOSFETs, IGBTs, and SiC MOSFETs. These isolated drivers are based on our Coreless Transformer (CT) technology, enabling a world class Common Mode Transient Immunity (CMTI) of 300kV/μs. The miller clamp and accurate short-circuit protection (DESAT) enables superior application safety by avoiding parasitic turn-on and short-circuit when driving CoolSiC™ SiC MOSFET and TRENCHSTOP™ IGBT7. The EiceDRIVER™isolated drivers provide driving capabilities of up to 9A, making booster solutions obsolete. These single-channel and dual-channel gate driver ICs are available as X3 analog family (1ED34xx) and X3 digital family gate driver ICs. The 1ED34xx and 1ED38xx gate driver ICs offer 9A output current and 40V_max output voltage in a space-saving DS0-16 fine pitch wide-body package with 8mm creepage. These ICs features short-circuit clamping and active shutdown and offer the highest isolation capability for the 1500V DC solar inverter application.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

1-Channel EiceDRIVER™ MOSFET Gate Driver ICs

Infineon Technologies 1-Channel EiceDRIVER™ MOSFET Gate Driver ICs are the crucial link between control ICs, powerful MOSFET, and GaN switching devices. These gate driver ICs enable high system-level efficiencies, excellent power density, and consistent system robustness.

Isolated Gate Drivers

Infineon Isolated Gate Drivers use magnetically coupled coreless transformer (CT) technology to transfer signals across galvanic isolation. These drivers offer functional basic, reinforced isolated, UL 1577, and VDE 0884 certified products. The isolation allows for very large voltage swings (e.g. ±1200V). These isolated drivers incorporate the most important key features and parameters for MOSFET, IGBT, IGBT modules, SiC MOSFET, and GaN HEMT driving.

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.