Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

BSH205G2AR

Name: Nexperia BSH205G2AR
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSH205G2AR
Price: 0.47 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

771-BSH205G2AR

Số nhà sản xuất:

BSH205G2AR

Nsx:

Nexperia

Mô tả:

MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.6A

Bảng dữ liệu:

BSH205G2AR Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Nexperia BSH205G2AR

Có hàng: 64,307

Tồn kho:: 64,307 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 53 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Đóng gói:

Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

ĐOẠN NGẮN

MouseReel™ (+$7.00)

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	$0.47	$0.47
	$0.286	$2.86
	$0.18	$18.00
	$0.134	$67.00
	$0.119	$119.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$0.099	$297.00
	$0.09	$540.00
	$0.076	$684.00
	$0.073	$1,752.00

† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Nexperia
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	SOT-23-3
Cực tính transistor:	P-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	20 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	2.6 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	118 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	900 mV
Qg - Điện tích cực cổng:	4.6 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	1.3 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Nhãn hiệu:	Nexperia
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Thời gian giảm:	12 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	5 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	13 ns
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 P-channel Trench MOSFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	35 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	5 ns
Mã Bí danh:	934661354215
Đơn vị Khối lượng:	8 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET

Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The device employs Trench MOSFET technology and offers a low threshold voltage with very fast switching. The BSH205G2 MOSFET is ideal for applications like relay drivers, high-speed line drivers and switching circuits.

Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options.