Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

DXTN78030DFGQ-7

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

621-DXTN78030DFGQ-7

Số nhà sản xuất:

DXTN78030DFGQ-7

Nsx:

Diodes Incorporated

Mô tả:

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

DXTN78030DFGQ-7 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Diodes Incorporated DXTN78030DFGQ-7

Hạn chế giao hàng:

Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.

Sẵn có

Tồn kho:: Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Diodes Incorporated
Danh mục Sản phẩm:	Bóng bán dẫn lưỡng cực - BJT
Hạn chế giao hàng:	Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	PowerVDFN-8
Cực tính transistor:	NPN
Cấu hình:	Single
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	30 V
Điện áp cực góp-cực gốc VCBO:	80 V
Điện áp cực phát-cực gốc VEBO:	8 V
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	140 mV
Pd - Tiêu tán nguồn:	2.4 W
Tích độ tăng ích dải thông fT:	260 MHz
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Tiêu chuẩn:	AEC-Q101
Sê-ri:	DXTN
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	Diodes Incorporated
Dòng cực góp liên tục:	9 A
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Độ lợi dòng DC hFE Tối đa:	550 at 100 mA
Loại sản phẩm:	BJTs - Bipolar Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	2000
Danh mục phụ:	Transistors

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

DXTN78030DFGQ-7 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DXTN/P 78Q & 80Q Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTN/P 78Q and 80Q Bipolar Transistors offer 30V, 60V, and 100V ratings, deliver exceptional conduction efficiency and thermal performance for demanding automotive power switching and control. The ultra-low V_CE(SAT) NPN and PNP bipolar transistors are ideal for 12V, 24V, and 48V systems, supporting applications such as MOSFET and IGBT gate driving, load switching, LDO regulation, DC-DC conversion, and motor/actuator control.