Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

DXTN80030DFGQ-7

Name: Diodes Incorporated DXTN80030DFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DXTN80030DFGQ-7
Price: 0.51 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

621-DXTN80030DFGQ-7

Số nhà sản xuất:

DXTN80030DFGQ-7

Nsx:

Diodes Incorporated

Mô tả:

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

DXTN80030DFGQ-7 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Diodes Incorporated DXTN80030DFGQ-7

Có hàng: 1,791

Tồn kho:: 1,791 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 40 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$0.51	$0.51
	$0.319	$3.19
	$0.257	$25.70
	$0.245	$122.50
	$0.235	$235.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2000)
	$0.223	$446.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Diodes Incorporated
Danh mục Sản phẩm:	Bóng bán dẫn lưỡng cực - BJT
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	PowerVDFN-8
Cực tính transistor:	NPN
Cấu hình:	Single
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	30 V
Điện áp cực góp-cực gốc VCBO:	80 V
Điện áp cực phát-cực gốc VEBO:	8 V
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	120 mV
Pd - Tiêu tán nguồn:	2.4 W
Tích độ tăng ích dải thông fT:	130 MHz
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Tiêu chuẩn:	AEC-Q101
Sê-ri:	DXTN
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	Diodes Incorporated
Dòng cực góp liên tục:	10 A
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Độ lợi dòng DC hFE Tối đa:	550 at 100 mA
Loại sản phẩm:	BJTs - Bipolar Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	2000
Danh mục phụ:	Transistors

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

DXTN80030DFGQ-7 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

DXTN80x NPN Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTN80x NPN Bipolar Transistors offer a small form factor, thermally efficient PowerDI^® 3333-8 package, allowing higher-density end products. The devices supply a >30V, 60V, or 100V collector-emitter voltage and a >8V emitter-base voltage. The DXTN80x is ideal for high-temperature environments, with a temperature rating of +175°C. The Diodes Inc. DXTN80x NPN bipolar transistors are excellent for motors, solenoids, relays, and actuator driver controls.

DXTN/P 78Q & 80Q Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTN/P 78Q and 80Q Bipolar Transistors offer 30V, 60V, and 100V ratings, deliver exceptional conduction efficiency and thermal performance for demanding automotive power switching and control. The ultra-low V_CE(SAT) NPN and PNP bipolar transistors are ideal for 12V, 24V, and 48V systems, supporting applications such as MOSFET and IGBT gate driving, load switching, LDO regulation, DC-DC conversion, and motor/actuator control.