GCMX005A120S3B1-N

SemiQ
148-GCMX005A120S3B1N
GCMX005A120S3B1-N

Nsx:

Mô tả:
MOSFET Modules 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module

Tuổi thọ:
Sản phẩm Mới:
Mới từ nhà sản xuất này.
Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về SemiQ GCMX005A120S3B1-N

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$194.34 $194.34
$177.18 $1,771.80
105 Báo giá

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
SemiQ
Danh mục Sản phẩm: Mô-đun MOSFET
RoHS:  
SiC
Screw Mount
S3
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
424 A
7 mOhms
- 5 V, + 20 V
4 V
- 40 C
+ 150 C
1.531 kW
GCMX
Bulk
Nhãn hiệu: SemiQ
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Thời gian giảm: 24 ns
Chiều cao: 30.9 mm
Chiều dài: 106.4 mm
Sản phẩm: Modules
Loại sản phẩm: MOSFET Modules
Thời gian tăng: 18 ns
Số lượng Kiện Gốc: 15
Danh mục phụ: Discrete and Power Modules
Loại: Half Bridge Module
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 114 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 65 ns
Ff - Điện áp thuận: 4 V
Chiều rộng: 61.4 mm
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Mô-đun nửa cầu MOSFET SiC GMX 1.200 V

Mô-đun nửa cầu MOSFET SiC GCMX 1200V của SemiQ có thất thoát chuyển mạch thấp, điện trở nhiệt từ khớp nối đến vỏ thấp, kết nối dễ dàng và chắc chắn. Các mô-đun này gắn trực tiếp bộ tản nhiệt (vỏ cách điện) và bao gồm tham chiếu Kelvin để hoạt động ổn định. Tất cả các bộ phận đã được thử nghiệm nghiêm ngặt để chịu được điện áp trên 1350V. Tính năng nổi bật của các mô-đun này là điện áp cực máng-cực nguồn 1200V mạnh. Mô-đun bán cầu GCMX hoạt động ở nhiệt độ khớp nối 175°C và tuân thủ RoHS. Các ứng dụng điển hình bao gồm bộ biến tần quang điện, bộ sạc pin, hệ thống lưu trữ năng lượng và bộ chuyển đổi DC sang DC điện áp cao.

GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET

SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET offers enhanced design flexibility and performance in current applications. The QSiC MOSFET operates with near-zero switching loss, increasing efficiency while reducing heat dissipation and the need for large heatsinks. Standing at 26.3mm in height with an industry-standard 62mm footprint, this module addresses the size, weight, and power demands of challenging applications. SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC MOSFET features a 400A current rating and is suitable for induction heaters, welding equipment, and uninterruptible power supplies (UPS).

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.