Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

GE10MPS06Q-TR

Name: Navitas Semiconductor GE10MPS06Q-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE10MPS06Q-TR
Price: 1.96 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

905-GE10MPS06Q-TR

Số nhà sản xuất:

GE10MPS06Q-TR

Nsx:

GeneSiC Semiconductor

Mô tả:

SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

GE10MPS06Q-TR Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về GeneSiC Semiconductor GE10MPS06Q-TR

Có hàng: 2,776

Tồn kho:: 2,776 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$1.96	$1.96
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$1.65	$4,950.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Navitas Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	QFN-8
Cấu hình:	Single
If - Dòng thuận:	10 A
Vrrm - Điện áp ngược lặp lại:	650 V
Ff - Điện áp thuận:	1.25 V
Ifsm - Dòng tăng thuận:	55 A
Ir - Dòng ngược:	1 uA
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Sê-ri:	SiC Schottky MPS
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	GeneSiC Semiconductor
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	US
Pd - Tiêu tán nguồn:	191 W
Loại sản phẩm:	SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Diodes & Rectifiers
Vr - Điện áp ngược:	650 V

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

GE10MPS06Q-TR Bảng dữ liệu (PDF)

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with robustness and thermal conductivity. The 650V diodes feature superior system ruggedness, zero recovery losses, and smaller heat sink requirements. These diodes enable extremely fast switching, reduced cooling requirements, zero reverse recovery current, and increased system power density. GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS Diodes are ideal for ease of paralleling without thermal runaway. The diodes are available in a variety of packages, including TO-220, TO-247, and SOT-227.