Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

IGB070S10S1XTMA1

Name: Infineon IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGB070S10S1XTMA1
Price: 3.05 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-IGB070S10S1XTMA1

Số nhà sản xuất:

IGB070S10S1XTMA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

IGB070S10S1XTMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IGB070S10S1XTMA1

Có hàng: 4,097

Tồn kho:: 4,097 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 3 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$3.05	$3.05
	$2.17	$21.70
	$1.57	$157.00
	$1.27	$635.00
	$1.21	$1,210.00
	$1.19	$2,975.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 5000)
	$1.00	$5,000.00
	$0.981	$9,810.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	FET GaN
RoHS:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	100 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	38 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	7 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	6.5 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2.9 V
Qg - Điện tích cực cổng:	6.1 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	23 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	CoolGaN
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	DE
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Sản phẩm:	Transistors
Loại sản phẩm:	GaN FETs
Sê-ri:	60 V - 120 V G3
Số lượng Kiện Gốc:	5000
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	GaN
Loại transistor:	P-Channel
Loại:	CoolGaN
Mã Bí danh:	IGB070S10S1 SP006039129

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IGB070S10S1XTMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 100V G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 100V G3 Transistors are normally OFF, enhancement-mode (e-mode) power transistors in compact housing. These transistors feature low on-state resistance, making the devices an ideal choice for reliable performance in demanding high-current and high-voltage applications. The CoolGaN transistors are designed to improve thermal management. Typical applications include audio amplifier solutions, photovoltaic, telecommunication infrastructure, e‑Mobility, robotics, and drones.

CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.