Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

IGL65R080D2XUMA1

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-IGL65R080D2XUMA1

Số nhà sản xuất:

IGL65R080D2XUMA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

IGL65R080D2XUMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IGL65R080D2XUMA1

Hạn chế giao hàng:

Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.

Sẵn có

Tồn kho:: Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	FET GaN
Hạn chế giao hàng:	Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.
RoHS:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Cực tính transistor:	HEMT
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	650 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	18 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	100 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	1.6 V
Qg - Điện tích cực cổng:	25 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	81 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	CoolGaN
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	MY
Quốc gia phân phối:	DE
Quốc gia xuất xứ:	AT
Thời gian giảm:	17 ns
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Sản phẩm:	GaN FETs
Loại sản phẩm:	GaN FETs
Thời gian tăng:	8 ns
Sê-ri:	CoolGaN G5
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	Si
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	11 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	8 ns
Mã Bí danh:	IGL65R080D2 SP006065174

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IGL65R080D2XUMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.