IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW40N65ET7XKSA1
IKW40N65ET7XKSA1

Nsx:

Mô tả:
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 7,871

Tồn kho:
7,871 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$3.81 $3.81
$1.96 $19.60
$1.69 $169.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.35 V
- 20 V, 20 V
76 A
230.8 W
- 40 C
+ 175 C
IGBT7 T7
Tube
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Dòng rò cực cổng-cực phát: 100 nA
Loại sản phẩm: IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc: 240
Danh mục phụ: IGBTs
Thương hiệu: TRENCHSTOP
Mã Bí danh: IKW40N65ET7 SP005403468
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Low Loss Duopack IGBTs

Infineon Technologies Low Loss Duopack IGBTs offer a robust humidity design with Trenchstop™ and Fieldstop™ technology. They feature a very soft, fast-recovery anti-parallel diode, short tail current, and very low VCEsat.

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.