Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

IKW50N120CH7XKSA1

Name: Infineon IKW50N120CH7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW50N120CH7XKSA
Price: 7.97 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-IKW50N120CH7XKSA

Số nhà sản xuất:

IKW50N120CH7XKSA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package

Bảng dữ liệu:

IKW50N120CH7XKSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IKW50N120CH7XKSA1

Có hàng: 347

Tồn kho:: 347 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$7.97	$7.97
	$5.30	$53.00
	$4.29	$429.00
	$3.81	$1,828.80
	$3.37	$4,044.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	IGBT
RoHS:
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	- 20 V, 20 V
Sê-ri:	IGBT7 H7
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	DE
Loại sản phẩm:	IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	240
Danh mục phụ:	IGBTs
Thương hiệu:	TRENCHSTOP
Mã Bí danh:	IKW50N120CH7 SP005560947

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IKW50N120CH7XKSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.

650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors feature advanced technology, meeting the demand for efficient energy applications. The Infineon Technologies 650V transistors feature a cutting-edge micro-pattern trench design for precise control and high performance. The design results in significant loss reduction, improved efficiency, and enhanced power density across various industries like string inverters, energy storage systems (ESS), EV charging, industrial UPS, and welding.

1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Discrete Transistors are the 7^th generation of 1200V TRENCHSTOP™ IGBTs, which are designed with micro-pattern trench technology. These discrete IGBTs offer a high level of controllability, low conduction losses, low switching losses, improved EMI performance, and humidity robustness under harsh environments. The IGBT7 H7 discrete transistors allow the selection of a low gate resistor (down to 5Ω) while maintaining excellent switching behavior. These transistors are used in fast EV charging, industrial heating and welding, and Uninterruptible Power Supplies (UPS) applications.