Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

IMYH200R012M1HXKSA1

Name: Infineon IMYH200R012M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMYH200R012M1HXK
Price: 65.85 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-IMYH200R012M1HXK

Số nhà sản xuất:

IMYH200R012M1HXKSA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

Bảng dữ liệu:

IMYH200R012M1HXKSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IMYH200R012M1HXKSA1

Có hàng: 829

Tồn kho:: 829 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 30 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$65.85	$65.85
	$61.55	$615.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	2 kV
Id - Dòng cực máng liên tục:	123 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	16.5 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	3.5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	246 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	552 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	CoolSIC
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	MY
Quốc gia phân phối:	AT
Quốc gia xuất xứ:	AT
Thời gian giảm:	24 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	30 S
Đóng gói:	Tube
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	13 ns
Số lượng Kiện Gốc:	240
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	50 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	16 ns
Mã Bí danh:	IMYH200R012M1H SP005427368

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IMYH200R012M1HXKSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

2000V CoolSiC™ MOSFETs

Infineon Technologies 2000V CoolSiC™ MOSFETs are trench MOSFETs in a TO-247PLUS-4-HCC package. These MOSFETs are designed to deliver increased power density without sacrificing the system's reliability, even under demanding high-voltage and switching frequency conditions. The low power losses of CoolSiC™ technology provide increased reliability using the .XT interconnection technology and enable top efficiencies in various applications. The 2000V MOSFETs feature a benchmark gate threshold voltage of 4.5V and offer very-low switching losses. Typical applications include energy storage systems, EV charging, string inverter, and solar power optimizer.