Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

MSCSM120DAM31CTBL1NG

Name: Microchip MSCSM120DAM31CTBL1NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120DAM31CTBL1NG
Price: 84.95 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

579-M120DAM31CTBL1NG

Số nhà sản xuất:

MSCSM120DAM31CTBL1NG

Nsx:

Microchip Technology

Mô tả:

Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

Bảng dữ liệu:

MSCSM120DAM31CTBL1NG Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Microchip Technology MSCSM120DAM31CTBL1NG

Có hàng: 11

Tồn kho:: 11 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Số lượng lớn hơn 11 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$84.95	$84.95
	$84.94	$849.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Microchip
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun bán dẫn rời rạc
Sản phẩm:	MOSFET-SiC SBD Modules
Loại:	MOSFET / SiC SBD
Công nghệ:	SiC
Ff - Điện áp thuận:	1.5 V
Vr - Điện áp ngược:	1.2 kV
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V, + 25 V
Kiểu gắn:	Screw Mount
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Nhãn hiệu:	Microchip Technology
Cấu hình:	Boost Chopper
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	PH
Thời gian giảm:	25 ns
Id - Dòng cực máng liên tục:	79 A
Pd - Tiêu tán nguồn:	310 W
Loại sản phẩm:	Discrete Semiconductor Modules
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	31 mOhms
Thời gian tăng:	30 ns
Số lượng Kiện Gốc:	1
Danh mục phụ:	Discrete Semiconductor Modules
Cực tính transistor:	N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	50 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	30 ns
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	1.2 kV

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

MSCSM120DAM31CTBL1NG Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MSCSM120x MOSFET Power Modules

Microchip Technology MSCSM120x MOSFET Power Modules are high-efficiency converters that feature Si₃N₄ substrate with thick copper for improved thermal performance. These modules offer a low profile, direct mounting to the heatsink (isolated package), an internal thermistor for temperature monitoring, and an extended temperature range. The MSCSM120x modules operate at 1.2kV reverse voltage (V_R), -10V to 25V gate-source voltage range (V_GS), 310W/560W power dissipation (P_D), and 79A/150A continuous drain current (I_D). These modules are used in applications such as high-reliability power systems, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, motor control, and AC switches.