Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NSS40302PDR2G

Name: onsemi NSS40302PDR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS40302PDR2G
Price: 1.81 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NSS40302PDR2G

Số nhà sản xuất:

NSS40302PDR2G

Nsx:

onsemi

Mô tả:

Bipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A

Bảng dữ liệu:

NSS40302PDR2G Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NSS40302PDR2G

Có hàng: 5,656

Tồn kho:: 5,656 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 8 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Đóng gói:

Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)

ĐOẠN NGẮN

MouseReel™ (+$7.00)

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	$1.81	$1.81
	$1.15	$11.50
	$0.772	$77.20
	$0.61	$305.00
	$0.558	$558.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
	$0.493	$1,232.50
	$0.456	$4,560.00

† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	Bóng bán dẫn lưỡng cực - BJT
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	SOIC-8
Cực tính transistor:	NPN, PNP
Cấu hình:	Dual
Dòng cực góp DC tối đa:	3 A
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	40 V
Điện áp cực góp-cực gốc VCBO:	40 V
Điện áp cực phát-cực gốc VEBO:	6 V, 7 V
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	82 mV, 135 mV
Pd - Tiêu tán nguồn:	783 mW
Tích độ tăng ích dải thông fT:	100 MHz
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Sê-ri:	NSS40302PD
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Nhãn hiệu:	onsemi
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	PH
Độ lợi cực góp/cực gốc DC hfe Tối thiểu:	200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V
Độ lợi dòng DC hFE Tối đa:	200 at 10 mA, 2 V
Loại sản phẩm:	BJTs - Bipolar Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	2500
Danh mục phụ:	Transistors
Đơn vị Khối lượng:	143 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NSS40302PDR2G Bảng dữ liệu

PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge Low VCE(sat) Transistors

onsemi e2PowerEdge Low V_CE(sat) Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra-low saturation voltage (V_CE(sat)) and high current gain capability. These are designed for low-voltage, high-speed switching applications where affordable, efficient energy control is essential. Typical applications are DC−DC converters and power management in portable and battery-powered products such as cellular and cordless phones, PDAs, computers, printers, digital cameras, and MP3 players. Other applications are low-voltage motor controls in mass storage products such as disc and tape drives. These can be used for airbag deployment and instrument clusters in the automotive industry. The high current gain allows onsemi e2PowerEdge devices to be driven directly from PMU’s control outputs, and the linear gain (Beta) makes them ideal components in analog amplifiers.