Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NSV20201DMTWTBG

Name: onsemi NSV20201DMTWTBG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSV20201DMTWTBG
Price: 1.1 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NSV20201DMTWTBG

Số nhà sản xuất:

NSV20201DMTWTBG

Nsx:

onsemi

Mô tả:

Bipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR

Bảng dữ liệu:

NSV20201DMTWTBG Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NSV20201DMTWTBG

Có hàng: 2,960

Tồn kho:: 2,960 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 24 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$1.10	$1.10
	$0.69	$6.90
	$0.453	$45.30
	$0.351	$175.50
	$0.318	$318.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$0.275	$825.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	Bóng bán dẫn lưỡng cực - BJT
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	WDFN-6
Cực tính transistor:	NPN
Cấu hình:	Dual
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	20 V
Điện áp cực góp-cực gốc VCBO:	20 V
Điện áp cực phát-cực gốc VEBO:	7 V
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	330 mV
Pd - Tiêu tán nguồn:	2.27 W
Tích độ tăng ích dải thông fT:	180 MHz
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Tiêu chuẩn:	AEC-Q101
Sê-ri:	NSS20201DM
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	onsemi
Dòng cực góp liên tục:	2 A
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	TH
Độ lợi cực góp/cực gốc DC hfe Tối thiểu:	100
Độ lợi dòng DC hFE Tối đa:	250
Loại sản phẩm:	BJTs - Bipolar Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NSV20201DMTWTBG Bảng dữ liệu

PCN

USHTS:: 8541210075
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge Low VCE(sat) Transistors

onsemi e2PowerEdge Low V_CE(sat) Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra-low saturation voltage (V_CE(sat)) and high current gain capability. These are designed for low-voltage, high-speed switching applications where affordable, efficient energy control is essential. Typical applications are DC−DC converters and power management in portable and battery-powered products such as cellular and cordless phones, PDAs, computers, printers, digital cameras, and MP3 players. Other applications are low-voltage motor controls in mass storage products such as disc and tape drives. These can be used for airbag deployment and instrument clusters in the automotive industry. The high current gain allows onsemi e2PowerEdge devices to be driven directly from PMU’s control outputs, and the linear gain (Beta) makes them ideal components in analog amplifiers.